Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 360W |
Uds,max | 200V |
Udg,max | 200V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 80A |
Fr(ton/off) | 26/75nS |
Ciss | 4600pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.015 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IXYSБиполярные транзисторы IXYSIGBT транзисторы IXYSFET транзисторы IXYS |
Основная функция | HiPerFET Power MOSFET |
TO268 | Распиновка |
---|---|