Полевой транзистор(FET) - 2N6760JAN N/A

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-channel
Pd,max 75W
Uds,max 400V
Udg,max
Uds,max 400V
Id,max 5.5A
Fr(ton/off) 35/35nS
Ciss 800pF
Cod FET
Rds,Ohm 1
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

N/A

Биполярные транзисторы N/A

IGBT транзисторы N/A

FET транзисторы N/A

Основная функция Power MOSFET
TO-3 Распиновка