Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 125W |
Uds,max | 100V |
Udg,max | 100V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 25A |
Fr(ton/off) | 140/170nS |
Ciss | 3250pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.070 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
INTERSILБиполярные транзисторы INTERSILIGBT транзисторы INTERSILFET транзисторы INTERSIL |
Основная функция | Rad Hard, SEGR Resistant, Power MOS |
TO254AA | Распиновка |
---|---|