Полевой транзистор(FET) - H5N2001LS HITACHI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 200V
Udg,max
Uds,max ±30V
Id,max 20A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm 0.13
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

HITACHI

Биполярные транзисторы HITACHI

IGBT транзисторы HITACHI

FET транзисторы HITACHI

Основная функция High Voltage Power MOSFET
LDPAK Распиновка