Полевой транзистор(FET) - H5N2503P HITACHI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 250V
Udg,max
Uds,max ±30V
Id,max 50A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm 0.04
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

HITACHI

Биполярные транзисторы HITACHI

IGBT транзисторы HITACHI

FET транзисторы HITACHI

Основная функция High Voltage Power MOSFET
TO-3P Распиновка