Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 200W |
Uds,max | 150V |
Udg,max | |
Uds,max | ±30V |
Id,max | 41A |
Fr(ton/off) | 17/34nS |
Ciss | 2260pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.045 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | HEXFET ® Power MOSFET |
D2-PAK | Распиновка |
---|---|