Полевой транзистор(FET) - IRF511 SAMSUNG
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 43W |
| Uds,max | 80V |
| Udg,max | |
| Uds,max | - |
| Id,max | 5.6A |
| Fr(ton/off) | 47/42nS |
| Ciss | - |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | IRF520 |
| Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
| Основная функция |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |