Полевой транзистор(FET) - IRF613 SAMSUNG
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 43W |
| Uds,max | 150V |
| Udg,max | |
| Uds,max | - |
| Id,max | 2.6A |
| Fr(ton/off) | 38/34nS |
| Ciss | - |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | IRF612 VN0340N5 BUZ60 BUZ76A ECG67 |
| Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
| Основная функция |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |