Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 43W |
Uds,max | 150V |
Udg,max | |
Uds,max | - |
Id,max | 2.6A |
Fr(ton/off) | 38/34nS |
Ciss | - |
Cod | FET |
Rds,Ohm | |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | IRF612 VN0340N5 BUZ60 BUZ76A ECG67 |
Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
Основная функция |
TO-220 | Распиновка |
---|---|