Полевой транзистор(FET) - IRF635 SAMSUNG
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 75W |
| Uds,max | 250V |
| Udg,max | |
| Uds,max | |
| Id,max | 6.5A |
| Fr(ton/off) | 49/76nS |
| Ciss | |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
| Основная функция |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |