Полевой транзистор(FET) - IRF712 SAMSUNG

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 36W
Uds,max 400V
Udg,max
Uds,max
Id,max 1.7A
Fr(ton/off) 27/49nS
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

SAMSUNG

Биполярные транзисторы SAMSUNG

IGBT транзисторы SAMSUNG

FET транзисторы SAMSUNG

Основная функция
TO-220 Распиновка