Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 2.5W |
Uds,max | 20V |
Udg,max | 20V |
Uds,max | ±12V |
Id,max | 5.4A |
Fr(ton/off) | 11/43nS |
Ciss | 780pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.06 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | HEXFET ® Power MOSFET |
SO-8 | Распиновка |
---|---|