Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 2W |
Uds,max | 30V |
Udg,max | 30V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 4.6A |
Fr(ton/off) | 6.7/20nS |
Ciss | 510pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.035 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | Co-packaged HEXFET Power MOSFET |
SO8 | Распиновка |
---|---|