Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 2W |
Uds,max | 20V |
Udg,max | 20V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 4.3A |
Fr(ton/off) | 8.4/51nS |
Ciss | 610pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.09 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | Co-packaged HEXFET Power MOSFET |
SO8 | Распиновка |
---|---|