Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 1.25W |
Uds,max | 30V |
Udg,max | 30V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 2A |
Fr(ton/off) | 9.7/19nS |
Ciss | 180pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.2 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | Co-packaged HEXFET Power MOSFET |
SO8 | Распиновка |
---|---|