Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 1.8W |
Uds,max | 20V |
Udg,max | |
Uds,max | 4.5V |
Id,max | 8.2A |
Fr(ton/off) | 11/125nS |
Ciss | 2520pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.02 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | HEXFET ® Power MOSFET |
SO8 | Распиновка |
---|---|