Полевой транзистор(FET) - IRF830 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 100W
Uds,max 500V
Udg,max 500V
Uds,max 20V
Id,max 4.5A
Fr(ton/off) 60/42
Ciss 800
Cod FET
Rds,Ohm 1.500
Tj,max 150ºC
Аналоги BUK455-500B IXTP4N45 IXTP4N45A IXTP4N50A MTP4N50E RFP6N45 RFP6N50 SGSP364 SGSP368 SGSP369 SSP4N45 SSP4N50
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
TO-220 Распиновка