Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 20W |
Uds,max | 150V |
Udg,max | |
Uds,max | |
Id,max | 1.75A |
Fr(ton/off) | 40/30nS |
Ciss | |
Cod | FET |
Rds,Ohm | |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
Основная функция |
TO-220 | Распиновка |
---|---|