Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 125W |
Uds,max | 600V |
Udg,max | 600V |
Uds,max | ±30V |
Id,max | 6.2A |
Fr(ton/off) | 13/31nS |
Ciss | 1036pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 1.2 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | HEXFET ® Power MOSFET |
D2-PAK | Распиновка |
---|---|