Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 1.3W |
Uds,max | 100V |
Udg,max | |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 940mA |
Fr(ton/off) | 6.8/18nS |
Ciss | 360pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.27 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
IRFБиполярные транзисторы IRFIGBT транзисторы IRFFET транзисторы IRF |
Основная функция | HEXFET POWER MOSFET |
HEXDIP | Распиновка |
---|---|