Полевой транзистор(FET) - IRFP343 SAMSUNG
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 125W |
| Uds,max | 350V |
| Udg,max | |
| Uds,max | |
| Id,max | 8A |
| Fr(ton/off) | |
| Ciss | |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | MTH7N35 MTH8N35 |
| Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
| Основная функция |
| TO-3P | Распиновка |
|---|---|
 |
 |