Полевой транзистор(FET) - IRFS240 SAMSUNG

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 65W
Uds,max 200V
Udg,max
Uds,max
Id,max 12.5A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm
Tj,max 150ºC
Аналоги IRFP240FI
Изготовитель

SAMSUNG

Биполярные транзисторы SAMSUNG

IGBT транзисторы SAMSUNG

FET транзисторы SAMSUNG

Основная функция
TO-3P Распиновка