Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 65W |
Uds,max | 350V |
Udg,max | |
Uds,max | |
Id,max | 6.9A |
Fr(ton/off) | |
Ciss | |
Cod | FET |
Rds,Ohm | |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
SAMSUNGБиполярные транзисторы SAMSUNGIGBT транзисторы SAMSUNGFET транзисторы SAMSUNG |
Основная функция |
TO-3P | Распиновка |
---|---|