Полевой транзистор(FET) - IXFN180N20 IXYS

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 700W
Uds,max 200V
Udg,max 200V
Uds,max ±20V
Id,max 180A
Fr(ton/off) 55/180nS
Ciss 22000pF
Cod FET
Rds,Ohm 0.01
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

IXYS

Биполярные транзисторы IXYS

IGBT транзисторы IXYS

FET транзисторы IXYS

Основная функция HiPerFET Power MOSFET
SOT227B Распиновка