Полевой транзистор(FET) - 2SJ539 HITACHI
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | P-Channel |
| Pd,max | 40W |
| Uds,max | 60V |
| Udg,max | |
| Uds,max | ±20V |
| Id,max | 10A |
| Fr(ton/off) | |
| Ciss | 400pF |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 0.23 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
HITACHIБиполярные транзисторы HITACHIIGBT транзисторы HITACHIFET транзисторы HITACHI |
| Основная функция | Trough-Hole MOSFET |
| TO-220AB | Распиновка |
|---|---|
 |
 |