Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | FET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 50mW |
Uds,max | 10V |
Udg,max | 10V |
Uds,max | 5V |
Id,max | 5mA |
Fr(ton/off) | |
Ciss | 10pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
RUSSIAБиполярные транзисторы RUSSIAIGBT транзисторы RUSSIAFET транзисторы RUSSIA |
Основная функция |
TO5 | Распиновка |
---|---|