Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | FET |
Полярность | P-Channel |
Pd,max | 120mW |
Uds,max | 10V |
Udg,max | |
Uds,max | 7V |
Id,max | 12mA |
Fr(ton/off) | |
Ciss | 20pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
RUSSIAБиполярные транзисторы RUSSIAIGBT транзисторы RUSSIAFET транзисторы RUSSIA |
Основная функция |
TO5 | Распиновка |
---|---|