Полевой транзистор(FET) - MTP3N60 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 100W
Uds,max 600V
Udg,max 600V
Uds,max 20V
Id,max 3.9A
Fr(ton/off) 60/42
Ciss 800
Cod FET
Rds,Ohm 2.500
Tj,max 150ºC
Аналоги SSP4N60 BUK455-600B IXTP4N60 MTP3N60E SSP4N55
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
TO-220 Распиновка