Полевой транзистор(FET) - MTP6N60 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 600V
Udg,max 600V
Uds,max 20V
Id,max 16.8A
Fr(ton/off) 65/175
Ciss 1500
Cod FET
Rds,Ohm 1.200
Tj,max 150ºC
Аналоги BUK457-600B IXTP6N60A MTP6N60E
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
TO-220 Распиновка