Полевой транзистор(FET) - 2SJ554 HITACHI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность P-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 60V
Udg,max
Uds,max ±20V
Id,max 45A
Fr(ton/off)
Ciss 2500pF
Cod FET
Rds,Ohm 0.038
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

HITACHI

Биполярные транзисторы HITACHI

IGBT транзисторы HITACHI

FET транзисторы HITACHI

Основная функция Trough-Hole MOSFET
TO-3P Распиновка