Полевой транзистор(FET) - STE150N10 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 410W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Uds,max 20V
Id,max 150A
Fr(ton/off) 80/140
Ciss 135
Cod FET
Rds,Ohm 0.009
Tj,max 150ºC
Аналоги BUK416-100AE BUK416-100BE TSD135N10V
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
ISOTOP Распиновка