Полевой транзистор(FET) - STE16N100 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 400W
Uds,max 1000V
Udg,max 1000V
Uds,max 20V
Id,max 16A
Fr(ton/off) 95/28nS
Ciss 7nF
Cod FET
Rds,Ohm 0.700
Tj,max 150ºC
Аналоги APT10050JN IXTN15N100 TSD5MG40V
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
ISOTOP Распиновка