Полевой транзистор(FET) - STH4N90 STE
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 125W |
| Uds,max | 900V |
| Udg,max | 900V |
| Uds,max | 20V |
| Id,max | 4.2A |
| Fr(ton/off) | 90/200 |
| Ciss | 1100 |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 3.200 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | APT904RBN MTH6N90 |
| Изготовитель |
STEБиполярные транзисторы STEIGBT транзисторы STEFET транзисторы STE |
| Основная функция | ENHANCEMENT MODE POWER MOS |
| TO-218 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |