Полевой транзистор(FET) - STH5N90 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 900V
Udg,max 900V
Uds,max 20V
Id,max 5.3A
Fr(ton/off) 65/105
Ciss 1450
Cod FET
Rds,Ohm 2.400
Tj,max 150ºC
Аналоги 2SK727 2SK1082 2SK1082-01 APT902R4BN IXTH6N90
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
TO-218 Распиновка