Полевой транзистор(FET) - STH60N10 STE
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 200W |
| Uds,max | 100V |
| Udg,max | 100V |
| Uds,max | 20V |
| Id,max | 9.3A |
| Fr(ton/off) | 130/380 |
| Ciss | 5000 |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 0.025 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | IXTH67N08 IXTH67N10 SSH60N10A |
| Изготовитель |
STEБиполярные транзисторы STEIGBT транзисторы STEFET транзисторы STE |
| Основная функция | ENHANCEMENT MODE POWER MOS |
| TO-218 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |