Полевой транзистор(FET) - STH65N06 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 180W
Uds,max 60V
Udg,max 60V
Uds,max 20V
Id,max 20A
Fr(ton/off) 100/750
Ciss 2900
Cod FET
Rds,Ohm 0.020
Tj,max 150ºC
Аналоги MTH40N06 RFH45N06 SGSP491 SGSP492
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
TO-218 Распиновка