Полевой транзистор(FET) - STH6N100FI STE
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 70W |
| Uds,max | 1000V |
| Udg,max | 1000V |
| Uds,max | 20V |
| Id,max | 3.7A |
| Fr(ton/off) | 90/280 |
| Ciss | 2800 |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 2.000 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BUK428-1000B MTG4N100E |
| Изготовитель |
STEБиполярные транзисторы STEIGBT транзисторы STEFET транзисторы STE |
| Основная функция | ENHANCEMENT MODE POWER MOS |
| ISOWATT218 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |