Полевой транзистор(FET) - STH9N80 STE

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 180W
Uds,max 800V
Udg,max 800V
Uds,max 20V
Id,max 9.5A
Fr(ton/off) 120/350
Ciss 2700
Cod FET
Rds,Ohm 1.000
Tj,max 150ºC
Аналоги APT8090BN IXTH10N80 IXTH11N80 IXTH12N80
Изготовитель

STE

Биполярные транзисторы STE

IGBT транзисторы STE

FET транзисторы STE

Основная функция ENHANCEMENT MODE POWER MOS
TO-218 Распиновка