Полевой транзистор(FET) - 2SK2000-R FUJI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 80W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Uds,max ±20V
Id,max 32A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm 0.06
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

FUJI

Биполярные транзисторы FUJI

IGBT транзисторы FUJI

FET транзисторы FUJI

Основная функция High Speed Switching Power MOSFET
TO-3PF Распиновка