Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | FET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 2.5W |
Uds,max | 30V |
Udg,max | |
Uds,max | |
Id,max | 10A |
Fr(ton/off) | 20nS |
Ciss | |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.020 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
VISHAYБиполярные транзисторы VISHAYIGBT транзисторы VISHAYFET транзисторы VISHAY |
Основная функция | N-Channel with Schootky Diode |
SOIC-8 | Распиновка |
---|---|