Полевой транзистор(FET) - Si4833DY VISHAY
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | FET |
| Полярность | P-Channel |
| Pd,max | 2W |
| Uds,max | 30V |
| Udg,max | |
| Uds,max | |
| Id,max | 3.5A |
| Fr(ton/off) | 8.7nS |
| Ciss | |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 0.180 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
VISHAYБиполярные транзисторы VISHAYIGBT транзисторы VISHAYFET транзисторы VISHAY |
| Основная функция | P-Channel with Schootky Diode |
| SOIC-8 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |