Полевой транзистор(FET) - FK10VS-9 MITSUBISHI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 450V
Udg,max 450V
Uds,max ±30V
Id,max 10A
Fr(ton/off) 20/95nS
Ciss 1100pF
Cod FET
Rds,Ohm 0.92
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

MITSUBISHI

Биполярные транзисторы MITSUBISHI

IGBT транзисторы MITSUBISHI

FET транзисторы MITSUBISHI

Основная функция HIGH-SPEED SWITCHING MOSFET
TO-220S Распиновка