Полевой транзистор(FET) - FK20SM-10 MITSUBISHI
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 275W |
| Uds,max | 500V |
| Udg,max | |
| Uds,max | ±30V |
| Id,max | 20A |
| Fr(ton/off) | 60/270nS |
| Ciss | 2800pF |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 0.36 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
MITSUBISHIБиполярные транзисторы MITSUBISHIIGBT транзисторы MITSUBISHIFET транзисторы MITSUBISHI |
| Основная функция | HIGH-SPEED SWITCHING MOSFET |
| TO-3P | Распиновка |
|---|---|
 |
 |