Полевой транзистор(FET) - FK30SM-6 MITSUBISHI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 275W
Uds,max 300V
Udg,max 300V
Uds,max ±30V
Id,max 30A
Fr(ton/off) 45/320nS
Ciss 2850pF
Cod FET
Rds,Ohm 0.143
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

MITSUBISHI

Биполярные транзисторы MITSUBISHI

IGBT транзисторы MITSUBISHI

FET транзисторы MITSUBISHI

Основная функция HIGH-SPEED SWITCHING MOSFET
TO-3P Распиновка