Полевой транзистор(FET) - GFD30N03 GENERAL SEMI
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 38W |
| Uds,max | 30V |
| Udg,max | 30V |
| Uds,max | ±20V |
| Id,max | 40A |
| Fr(ton/off) | 10/47nS |
| Ciss | 850pF |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 0.015 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
GENERAL SEMIБиполярные транзисторы GENERAL SEMIIGBT транзисторы GENERAL SEMIFET транзисторы GENERAL SEMI |
| Основная функция | Enhancement-Mode MOSFET |
| TO-252 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |