Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 25W |
Uds,max | 200V |
Udg,max | 200V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 5A |
Fr(ton/off) | 35/172nS |
Ciss | |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.500 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
HARRISБиполярные транзисторы HARRISIGBT транзисторы HARRISFET транзисторы HARRIS |
Основная функция | Radiation Hardened, N-Channel Power MOSFET |
TO205AF | Распиновка |
---|---|