Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 125W |
Uds,max | 600V |
Udg,max | 600V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 7.8A |
Fr(ton/off) | 140/430nS |
Ciss | 1050pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 2 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2SK684 2SK1032 |
Изготовитель |
SIEMENSБиполярные транзисторы SIEMENSIGBT транзисторы SIEMENSFET транзисторы SIEMENS |
Основная функция | SIPMOS Power V-MOS |
TO3 | Распиновка |
---|---|