Полевой транзистор(FET) - 2SK2519-01 FUJI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 40W
Uds,max 200V
Udg,max 200V
Uds,max ±30V
Id,max 10A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm 0.4
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

FUJI

Биполярные транзисторы FUJI

IGBT транзисторы FUJI

FET транзисторы FUJI

Основная функция High Speed Switching Power MOSFET
TO-220AB Распиновка