Полевой транзистор(FET) - 2SK2586 HITACHI
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 125W |
| Uds,max | 60V |
| Udg,max | |
| Uds,max | ±20V |
| Id,max | 60A |
| Fr(ton/off) | |
| Ciss | 3550pF |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 0.01 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
HITACHIБиполярные транзисторы HITACHIIGBT транзисторы HITACHIFET транзисторы HITACHI |
| Основная функция | Trough-Hole MOSFET |
| TO-3P | Распиновка |
|---|---|
 |
 |