Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 800mW |
Uds,max | 30V |
Udg,max | |
Uds,max | +12/-10V |
Id,max | 1A |
Fr(ton/off) | |
Ciss | 155pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.3 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
HITACHIБиполярные транзисторы HITACHIIGBT транзисторы HITACHIFET транзисторы HITACHI |
Основная функция | SMD MOSFET |
MPAK | Распиновка |
---|---|
![]() |
![]() |