Полевой транзистор(FET) - 2SK3271-01 FUJI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 155W
Uds,max 60V
Udg,max
Uds,max ±30V
Id,max 100A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm 0.0065
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

FUJI

Биполярные транзисторы FUJI

IGBT транзисторы FUJI

FET транзисторы FUJI

Основная функция Trench power MOSFET
TO-3P Распиновка